求解肖特基二极管参数需要考虑哪些？
熊顺慈
更新时间：2016-09-01 12:00
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肖特基二极管 封装： DO-41 正向平均电流：1A 反向峰值电压：40V 反向漏电流：1mA 正向压降： 0.6V 正向不重复峰值电流(浪涌电流)：30A 结(极间)电容 :55PF
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肖特基二极管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用 砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加
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